① 氮化硅铁和氮化硅的区别
氮化硅铁和氮化硅的区别
氮化硅铁跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸点、熔点及作用都不相同.字面意思差不多,但实际作用相差很远
② 氮化硅铁中铁含量的测定方法
比色法
③ 氮化硅铁与氧化铝烧结
C 该材料既非单纯金属，又非合金，故不是金属材料，A项错误；因组成中Si、Al、N、O原子数目不多，故称不上高分子化合物，B、D两项错误；该材料具备新型无机非金属材料的特征，故C项正确。
④ 氮化硅铁和氮化硅的区别
氮化硅参考http://ke..com/view/877481.html?wtp=tt
氮化硅铁跟氮化硅是不同的冶金材料，其沸点、熔点及作用都不相同。字面意思差不多，但实际作用相差很远
⑤ 氮化硅，氮化硅铁合成问题，求助悬赏
氮化硅铁和氮化硅的区别 氮化硅铁跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸点、熔点及作用都不相同.字面意思差不多,但实际作用相差很远
可在1300-1400℃的条件下用单质硅和氮气直接进行化合反应得到氮化硅： 3 Si(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) 也可用二亚胺合成 SiCl4(l) + 6 NH3(g) → Si(NH)2(s) + 4 NH4Cl(s) 在0 ℃的条件下 3 Si(NH)2(s) → Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2(g) 在1000 ℃的条件下 或用碳热还原反应在1400-1450℃的氮气气氛下合成： 3 SiO2(s) + 6 C(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) + 6 CO(g) 对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是第一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的，需要进一步在1400-1500℃的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末，二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。碳热还原反应是制造氮化硅的最简单途径也是工业上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。
电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积技术制造的: 3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g) 3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g) 3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g) 如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用： 利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。 等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。 氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。
先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。合成过程中涉及的反应可能是： SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g) 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 CO(g) → Si3N4(s) + 3 CO2(g) 或 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 C(s) → Si3N4(s) + 3 CO(g)