深圳半导体图示仪批发

⑴ 示波器XJ4810半导体管 特性图示仪故障求助

很不错的图示仪，国内口碑挺好，啥故障呢？比较专业，在西安可以送到电子大楼，有专门维修的。

⑵ 半导体特性图示仪y轴选择阶梯时，0.01mA/级是指哪个刻度是0.01mA

适当调整扫描“幅度”、X轴（VC）电压偏转因数（V/度）和Y轴（IC）电流偏转因数（A/度）。图示仪能正常显示各类半导体管的有关低频特性曲线。

⑶ 目前晶体管图示仪都有哪些牌子

比如韩国的思达特，美国的STI，泰克，ITC，IST，吉时利，安捷伦，福禄克，日本的岩崎，TESEC，CATE，JUNO友能，国产的西安易恩电气ENJ2005-C。这是我查的一些关于ENJ2005-C的具体资料：
西安易恩电气 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。

测试范围 / 测试参数

01

二极管
DIODE

IR；BVR ；VF

02

晶体管
（NPN型/PNP型）

ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；
BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF

03

J型场效应管
J-FET

IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；
IDSS；GFS；VGSOFF

04

MOS场效应管
MOS-FET

IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；
VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS

05

双向可控硅
TRIAC

VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-

06

可控硅
SCR

IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；
IGT；VGT；IL；IH

07

绝缘栅双极大功率晶体管
IGBT

ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；
VGEON；VF；GFS

08

硅触发可控硅
STS

IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；
VPK-；VGSW+；VGSW-

09

达林顿阵列
DARLINTON

ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；
BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；
VCESAT； VBESAT；VBEON

10

光电耦合
OPTO-COUPLER

ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；
CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)

11

继电器
RELAY

RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME

12

稳压、齐纳二极管
ZENER

IR；BVZ；VF；ZZ

13

三端稳压器
REGULATOR

Vout；Iin；

14

光电开关
OPTO-SWITCH

ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF

15

光电逻辑
OPTO-LOGIC

IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF

16

金属氧化物压变电阻
MOV

ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；

17

固态过压保护器
SSOVP

ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、
IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ-

18

压变电阻
VARISTOR

ID+； ID-；VC+ ；VC-

19

双向触发二极管
DIAC

VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

⑷ XJ4822型半导体管特性图示仪怎么使用

阅读说明书，网址：http://www.docin.com/p-473389085.html或http://www.doc88.com/p-996527673041.html

⑸ 半导体管特性图示仪如何测试二极管

按照“晶体管特性图示仪”的说明书，最后显示屏显示的曲线应该是和课本上的二极管的特性曲线一样的。

⑹ 深圳市创想世纪科技有限公司怎么样

简介：深圳市创想世纪科技有限公司（简称创想世纪）是一家专业从事仪器仪表代理的综合性服务公司,于2010年在深圳注册成立，目前已经成为国内知名的仪器经销商，系统集成商和综合服务商。创想世纪公司的客户涉及工业电子制造、通信及信息技术、教育科研、航空航天、微电子、新能源、生物医药、节能环保等行业和领域，通过与西安宜邦、Agilent、Lecroy、Tektronix、Yokogawa、Kikusui、DTV、NF、费思泰克Faith、牛津OXFORD、岛津SHIMADZU等知名厂商的合作，为客户提供产品增值销售、应用系统集成、科技租赁、计量校准、维修维护等综合服务系统集成已应用到CCT、HUAWEI、DESAY、MOTOROLA、LITEON、DELTA、BCComponent等客户的生产线测试和实验室。创想世纪主要产品有：半导体参数测试系统，晶体管图示仪YB6600自助研发的半导体动态参数测试系统；动力电池测试系统；超级电容测试系统；材料分析：牛津直读光谱仪，电感等离子体耦合光谱仪,xrf尺寸测量：三坐标测量机以及影响测量仪
法定代表人：李军辉
成立时间：2010-03-31
注册资本：1000万人民币
工商注册号：440301104579598
企业类型：有限责任公司
公司地址：深圳市南山区西丽龙珠大道北梅州大厦602E

⑺ 请问有谁会使用<晶体管特性图示仪>啊

1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示：接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。
12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。
13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。
14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。
15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡IC标值×0.1，同时指示灯14亮.
16. Y轴增益：校正Y轴增益。
17. X轴增益：校正X轴增益。
18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是：
⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。
⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。
⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。
19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。
20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。
21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。
22. 调零旋钮 ：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。
23. 阶梯信号选择开关：可以调节每级电流大小注入被测管的基极，作为测试各种特性曲线的基极信号源，共22挡。一般选用基极电流/级，当测试场效应管时选用基极源电压/级。
24. 串联电阻开关：当阶梯信号选择开关置于电压/级的位置时，串联电阻将串联在被测管的输入电路中。
25. 重复－－关按键：弹出为重复，阶梯信号重复出现；按下为关，阶梯信号处于待触发状态。
26. 阶梯信号待触发指示灯：重复按键按下时灯亮，阶梯信号进入待触发状态。
27. 单簇按键开关：单簇的按动其作用是使预先调整好的电压（电流）/级，出现一次阶梯信号后回到等待触发位置，因此可利用它瞬间作用的特性来观察被测管的各种极限特性。
28. 极性按键：极性的选择取决于被测管的特性。
29. 测试台：其结构如图A-24所示。

图A-24 XJ4810型半导体管特性图示仪测试台

30. 测试选择按键：
⑴“左”、“右”、“二簇”：可以在测试时任选左右两个被测管的特性，当置于“二簇”时，即通过电子开关自动地交替显示左右二簇特性曲线，此时“级/簇”应置适当位置，以利于观察。二簇特性曲线比较时，请不要误按单簇按键。
⑵“零电压”键：按下此键用于调整阶梯信号的起始级在零电平的位置，见（22）项。
⑶“零电流”键：按下此键时被测管的基极处于开路状态，即能测量ICEO特性。
31、32. 左右测试插孔：插上专用插座（随机附件），可测试F1、F2型管座的功率晶体管。
33、34、35.晶体管测试插座。
36. 二极管反向漏电流专用插孔（接地端）。
在仪器右侧板上分布有图A-25所示的旋钮和端子：

图A-25 XJ4810型半导体管特性图示仪右侧板

37. 二簇移位旋钮：在二簇显示时，可改变右簇曲线的位置，更方便于配对晶体管各种参数的比较。
38. Y轴信号输入：Y轴选择开关置外接时，Y轴信号由此插座输入。
39. X轴信号输入：X轴选择开关置外接时，X轴信号由此插座输入。
40. 校准信号输出端：1V、0.5V校准信号由此二孔输出。

7.2测试前注意事项

为保证仪器的合理使用，既不损坏被测晶体管，也不损坏仪器内部线路，在使用仪器前应注意下列事项：
1. 对被测管的主要直流参数应有一个大概的了解和估计，特别要了解被测管的集电极最大允许耗散功率PCM、最大允许电流ICM和击穿电压BVEBO、BVCBO 。
2. 选择好扫描和阶梯信号的极性，以适应不同管型和测试项目的需要。
3. 根据所测参数或被测管允许的集电极电压，选择合适的扫描电压范围。一般情况下，应先将峰值电压调至零，更改扫描电压范围时，也应先将峰值电压调至零。选择一定的功耗电阻，测试反向特性时，功耗电阻要选大一些，同时将X、Y偏转开关置于合适挡位。测试时扫描电压应从零逐步调节到需要值。
4. 对被测管进行必要的估算，以选择合适的阶梯电流或阶梯电压，一般宜先小一点，再根据需要逐步加大。测试时不应超过被测管的集电极最大允许功耗。
5. 在进行ICM的测试时，一般采用单簇为宜，以免损坏被测管。
6. 在进行IC或ICM的测试中，应根据集电极电压的实际情况选择，不应超过本仪器规定的最大电流，见表A-3。

电压范围/V 0～10 0～50 0～100 0～500
允许最大电流/A 5 1 0.5 0.1
表A-3 最大电流对照表

7. 进行高压测试时，应特别注意安全，电压应从零逐步调节到需要值。观察完毕，应及时将峰值电压调到零。

7.3基本操作步骤

1. 按下电源开关，指示灯亮，预热15分钟后，即可进行测试。
2. 调节辉度、聚焦及辅助聚焦，使光点清晰。
3. 将峰值电压旋钮调至零，峰值电压范围、极性、功耗电阻等开关置于测试所需位置。
4. 对X、Y轴放大器进行10度校准。
5. 调节阶梯调零。
6. 选择需要的基极阶梯信号，将极性、串联电阻置于合适挡位，调节级/簇旋钮，使阶梯信号为10级/簇，阶梯信号置重复位置。
7. 插上被测晶体管，缓慢地增大峰值电压，荧光屏上即有曲线显示。

7.4测试实例

1. 晶体管hFE和β值的测量
以NPN型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 hFE的测试条件为VCE =1V、IC=10mA。将光点移至荧光屏的左下角作座表零点。仪器部件的置位详见表A-4。
表A-4 3DK2晶体管hFE、β测试时仪器部件的置位
部件 置位 部件 置位
峰值电压范围 0～10V Y轴集电极电流 1 mA /度
集电极极性 + 阶梯信号 重复
功耗电阻 250Ω 阶梯极性 +
X轴集电极电压 1V/度 阶梯选择 20μA

逐渐加大峰值电压就能在显示屏上看到一簇特性曲线，如图A-26所示.读出X轴集电极电压Vce =1V时最上面一条曲线（每条曲线为20μA，最下面一条IB=0不计在内）IB值和Y轴IC值，可得
hFE = = = =42.5
若把X轴选择开关放在基极电流或基极源电压位置，即可得到图A-27所示的电流放大特性曲线。即
β=

图A-26 晶体三极管输出特性曲线 图A-27 电流放大特性曲线

PNP型三极管hFE和β的测量方法同上，只需改变扫描电压极性、阶梯信号极性、并把光点移至荧光屏右上角即可。
2.晶体管反向电流的测试
以NPN型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 ICBO、ICEO的测试条件为VCB、VCE均为10V。测试时，仪器部件的置位详见表A-5。
逐渐调高“峰值电压”使X轴VCB=10V，读出Y轴的偏移量，即为被测值。被测管的接线方法如图1-28，其中图A-28（a）测ICBO值，图A-28（b）测ICEO值、图A-28（c）测IEBO值。

图A-28 晶体管反向电流的测试
表A-5 3DK2晶体管反向电流测试时仪器部件的置位
项目
部件 位置
ICBO
ICEO
峰值电压范围 0～10V 0～10V
极性 ＋ ＋
X轴集电极电压 2V/度 2V/度
Y轴集电极电流 10μA/度 10μA/度
倍率 Y轴位移拉出×0.1 Y轴位移拉出×0.1
功耗限制电阻 5KΩ 5KΩ

测试曲线如图A-29所示。
读数：ICBO=0.5μA（VCB=10V） ICEO=1μA（VCE=10V）

图A-29 反向电流测试曲线

PNP型晶体管的测试方法与NPN型晶体管的测试方法相同。可按测试条件，适当改变挡位，并把集电极扫描电压极性改为“—”，把光点调到荧光屏的右下角（阶梯极性为“+”时）或右上角（阶梯极性为“—”时）即可。
3.晶体管击穿电压的测试
以NPN型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的测试条件IC分别为100μA、200μA和100μA。测试时，仪器部件的置位详见表A-6。
逐步调高“峰值电压”，被测管按图A-30（a）的接法，Y轴IC=0.1mA时，X轴的偏移量为BVCEO值；被测管按图A-30（b）的接法，Y轴IC=0.2m A时，X轴的偏移量为BVCEO值；被测管按图A-30（c）的接法，Y轴IC=0.1mA时，X轴的偏移量为BVEBO值。

表A-6 3DK2晶体管击穿电压测试时仪器部件的置位
置位 项目
部件
BVCBO

BVCEO
BVEBO
峰值电压范围 0～100V 0～100V 0～10V
极性 + + +
X轴集电极电压 10V/度 10V/度 1V/度
Y轴集电极电流 20μA/度 20μA/度 20μA/度
功耗限止电阻 1 kΩ～5 kΩ 1 kΩ～5 kΩ 1 kΩ～5 kΩ

测试曲线如图A-30所示。

图A-30 反向击穿电压曲线（NPN）

图A-31 反向击穿电压曲线（PNP）

读数：BVCBO=70V（IC=100μA）
BVCEO=60V（IC=200μA）
BVEBO=7.8V（IC=100μA）
PNP型晶体管的测试方法与NPN型晶体管的测试方法相似。其测试曲线如图1-31所示。
4.稳压二极管的测试
以2CW19稳压二极管为例，查手册得知2CW19稳定电压的测试条件IR=3mA。测试时。仪器部件置位详见表A-7。
逐渐加大“峰值电压”，即可在荧光屏上看到被测管的特性曲线，如图A-32所示。

表A-7 2CW19稳压二极管测试时仪器部件的置位
部件 置位 部件
置位
峰值电压范围 AC 0～10V X轴集电极电压 5V/度
功耗限止电阻 5 kΩ Y轴集电极电流 1mA/度

读数：正向压降约0.7V，稳定电压约12.5V。
5.整流二极管反向漏电电流的测试
以2DP5C整流二极管为例，查手册得知2DP5的反向电流应≤500nA。测试时，仪器各部件的置位详见表A-8。
逐渐增大“峰值电压”，在荧光屏上即可显示被测管反向漏电电流特性，如图A-33所示。
读数：IR=4div×0.2μA×0.1(倍率)=80 nA
测量结果表明，被测管性能符合要求。

图A-32 稳压二极管特性曲线 图A-33 二极管反向电流测试

表A-8 2DP5C整流二极管测试时仪器部件的置位
部件 置位 部件
置位
峰值电压范围 0～10V Y轴集电极电流 0.2μA/度
功耗限制电阻 1 kΩ 倍率 Y轴位移拉出×0.1
X轴集电极电压 1V/度

6.二簇特性曲线比较测试
以NPN型3DG6晶体管为例，查手册得知3DG6晶体管输出特性的测试条件为IC=10 mA、VCE=10V。测试时，仪器部件的置位详见表A-9。
将被测的两只晶体管，分别插入测试台左、右插座内，然后按表1-8置位各功能键，参数调至理想位置。按下测试选择按钮的“二簇”琴键，逐步增大峰值电压，即可要荧光屏上显示二簇特性曲线，如图A-34所示。

表A-9 二簇特性曲线测试时仪器部件的置位
部件 置位 部件 置位
峰值电压范围 0～10V Y轴集电极电流 1 mA/度
极性 + “重复－－关”开关 重复
功耗限制电阻 250Ω 阶梯信号选择开关 10μA/级
X轴集电极电压 1V/度 阶梯极性 +

当测试配对管要求很高时，可调节“二簇位移旋钮”（37），使右簇曲线左移，视其曲线重合程度，可判定其输出特性的一致程度。

图A-34 二簇输出特性曲线