① 氮化硅鐵和氮化硅的區別
氮化硅鐵和氮化硅的區別
氮化硅鐵跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸點、熔點及作用都不相同.字面意思差不多,但實際作用相差很遠
② 氮化硅鐵中鐵含量的測定方法
比色法
③ 氮化硅鐵與氧化鋁燒結
C 該材料既非單純金屬，又非合金，故不是金屬材料，A項錯誤；因組成中Si、Al、N、O原子數目不多，故稱不上高分子化合物，B、D兩項錯誤；該材料具備新型無機非金屬材料的特徵，故C項正確。
④ 氮化硅鐵和氮化硅的區別
氮化硅參考http://ke..com/view/877481.html?wtp=tt
氮化硅鐵跟氮化硅是不同的冶金材料，其沸點、熔點及作用都不相同。字面意思差不多，但實際作用相差很遠
⑤ 氮化硅，氮化硅鐵合成問題，求助懸賞
氮化硅鐵和氮化硅的區別 氮化硅鐵跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸點、熔點及作用都不相同.字面意思差不多,但實際作用相差很遠
可在1300-1400℃的條件下用單質硅和氮氣直接進行化合反應得到氮化硅： 3 Si(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) 也可用二亞胺合成 SiCl4(l) + 6 NH3(g) → Si(NH)2(s) + 4 NH4Cl(s) 在0 ℃的條件下 3 Si(NH)2(s) → Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2(g) 在1000 ℃的條件下 或用碳熱還原反應在1400-1450℃的氮氣氣氛下合成： 3 SiO2(s) + 6 C(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) + 6 CO(g) 對單質硅的粉末進行滲氮處理的合成方法是在二十世紀50年代隨著對氮化硅的重新「發現」而開發出來的。也是第一種用於大量生產氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料純度低會使得生產出的氮化硅含有雜質硅酸鹽和鐵。用二胺分解法合成的氮化硅是無定形態的，需要進一步在1400-1500℃的氮氣下做退火處理才能將之轉化為晶態粉末，二胺分解法在重要性方面是僅次於滲氮法的商品化生產氮化硅的方法。碳熱還原反應是製造氮化硅的最簡單途徑也是工業上製造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。
電子級的氮化硅薄膜是通過化學氣相沉積或者等離子體增強化學氣相沉積技術製造的: 3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g) 3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g) 3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g) 如果要在半導體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用： 利用低壓化學氣相沉積技術在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進行。 等離子體增強化學氣相沉積技術在溫度相對較低的真空條件下進行。 氮化硅的晶胞參數與單質硅不同。因此根據沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產生張力或應力。特別是當使用等離子體增強化學氣相沉積技術時，能通過調節沉積參數來減少張力。
先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然後同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理後得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產生的。合成過程中涉及的反應可能是： SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g) 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 CO(g) → Si3N4(s) + 3 CO2(g) 或 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 C(s) → Si3N4(s) + 3 CO(g)