深圳半導體圖示儀批發

⑴ 示波器XJ4810半導體管 特性圖示儀故障求助

很不錯的圖示儀，國內口碑挺好，啥故障呢？比較專業，在西安可以送到電子大樓，有專門維修的。

⑵ 半導體特性圖示儀y軸選擇階梯時，0.01mA/級是指哪個刻度是0.01mA

適當調整掃描「幅度」、X軸（VC）電壓偏轉因數（V/度）和Y軸（IC）電流偏轉因數（A/度）。圖示儀能正常顯示各類半導體管的有關低頻特性曲線。

⑶ 目前晶體管圖示儀都有哪些牌子

比如韓國的思達特，美國的STI，泰克，ITC，IST，吉時利，安捷倫，福祿克，日本的岩崎，TESEC，CATE，JUNO友能，國產的西安易恩電氣ENJ2005-C。這是我查的一些關於ENJ2005-C的具體資料：
西安易恩電氣 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半導體晶體管圖示系統，本系統可自動生成功率器件的I-V曲線，也可根據客戶的實際需求設置功能測試，直接讀取數顯結果。系統在失效分析，IQC來料檢驗及高校實驗室等部門有廣泛的應用。系統生成的曲線都使用ATE系統逐點建立，保證了數據的准確可靠。系統典型的測試時間是6 to 20ms,通常上百個數據點曲線只需要幾秒鍾時間便可以展現出來，數據捕獲的曲線可導入EXCEL等格式進一步分析研究，是一款高效多功能的高端半導體測試設備。

測試范圍 / 測試參數

01

二極體
DIODE

IR；BVR ；VF

02

晶體管
（NPN型/PNP型）

ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；
BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF

03

J型場效應管
J-FET

IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；
IDSS；GFS；VGSOFF

04

MOS場效應管
MOS-FET

IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；
VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS

05

雙向可控硅
TRIAC

VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-

06

可控硅
SCR

IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；
IGT；VGT；IL；IH

07

絕緣柵雙極大功率晶體管
IGBT

ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；
VGEON；VF；GFS

08

硅觸發可控硅
STS

IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；
VPK-；VGSW+；VGSW-

09

達林頓陣列
DARLINTON

ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；
BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；
VCESAT； VBESAT；VBEON

10

光電耦合
OPTO-COUPLER

ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；
CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)

11

繼電器
RELAY

RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME

12

穩壓、齊納二極體
ZENER

IR；BVZ；VF；ZZ

13

三端穩壓器
REGULATOR

Vout；Iin；

14

光電開關
OPTO-SWITCH

ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF

15

光電邏輯
OPTO-LOGIC

IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF

16

金屬氧化物壓變電阻
MOV

ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；

17

固態過壓保護器
SSOVP

ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、
IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ-

18

壓變電阻
VARISTOR

ID+； ID-；VC+ ；VC-

19

雙向觸發二極體
DIAC

VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

⑷ XJ4822型半導體管特性圖示儀怎麼使用

閱讀說明書，網址：http://www.docin.com/p-473389085.html或http://www.doc88.com/p-996527673041.html

⑸ 半導體管特性圖示儀如何測試二極體

按照「晶體管特性圖示儀」的說明書，最後顯示屏顯示的曲線應該是和課本上的二極體的特性曲線一樣的。

⑹ 深圳市創想世紀科技有限公司怎麼樣

簡介：深圳市創想世紀科技有限公司（簡稱創想世紀）是一家專業從事儀器儀表代理的綜合性服務公司,於2010年在深圳注冊成立，目前已經成為國內知名的儀器經銷商，系統集成商和綜合服務商。創想世紀公司的客戶涉及工業電子製造、通信及信息技術、教育科研、航空航天、微電子、新能源、生物醫葯、節能環保等行業和領域，通過與西安宜邦、Agilent、Lecroy、Tektronix、Yokogawa、Kikusui、DTV、NF、費思泰克Faith、牛津OXFORD、島津SHIMADZU等知名廠商的合作，為客戶提供產品增值銷售、應用系統集成、科技租賃、計量校準、維修維護等綜合服務系統集成已應用到CCT、HUAWEI、DESAY、MOTOROLA、LITEON、DELTA、BCComponent等客戶的生產線測試和實驗室。創想世紀主要產品有：半導體參數測試系統，晶體管圖示儀YB6600自助研發的半導體動態參數測試系統；動力電池測試系統；超級電容測試系統；材料分析：牛津直讀光譜儀，電感等離子體耦合光譜儀,xrf尺寸測量：三坐標測量機以及影響測量儀
法定代表人：李軍輝
成立時間：2010-03-31
注冊資本：1000萬人民幣
工商注冊號：440301104579598
企業類型：有限責任公司
公司地址：深圳市南山區西麗龍珠大道北梅州大廈602E

⑺ 請問有誰會使用<晶體管特性圖示儀>啊

1. 集電極電源極性按鈕，極性可按面板指示選擇。
2. 集電極峰值電壓保險絲：1.5A。
3. 峰值電壓%：峰值電壓可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之連續可調，面板上的標稱值是近似值，參考用。
4. 功耗限制電阻：它是串聯在被測管的集電極電路中，限制超過功耗，亦可作為被測半導體管集電極的負載電阻。
5. 峰值電壓范圍：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四擋。當由低擋改換高擋觀察半導體管的特性時，須先將峰值電壓調到零值，換擋後再按需要的電壓逐漸增加，否則容易擊穿被測晶體管。
AC擋的設置專為二極體或其他元件的測試提供雙向掃描，以便能同時顯示器件正反向的特性曲線。
6. 電容平衡：由於集電極電流輸出端對地存在各種雜散電容，都將形成電容性電流，因而在電流取樣電阻上產生電壓降，造成測量誤差。為了盡量減小電容性電流，測試前應調節電容平衡，使容性電流減至最小。
7. 輔助電容平衡：是針對集電極變壓器次級繞組對地電容的不對稱，而再次進行電容平衡調節。
8. 電源開關及輝度調節：旋鈕拉出，接通儀器電源，旋轉旋鈕可以改變示波管光點亮度。
9. 電源指示：接通電源時燈亮。
10. 聚焦旋鈕：調節旋鈕可使光跡最清晰。
11. 熒光屏幕：示波管屏幕，外有座標刻度片。
12. 輔助聚焦：與聚焦旋鈕配合使用。
13. Y軸選擇（電流/度）開關：具有22擋四種偏轉作用的開關。可以進行集電極電流、基極電壓、基極電流和外接的不同轉換。
14. 電流/度×0.1倍率指示燈：燈亮時，儀器進入電流/度×0.1倍工作狀態。
15. 垂直移位及電流/度倍率開關：調節跡線在垂直方向的移位。旋鈕拉出，放大器增益擴大10倍，電流/度各擋IC標值×0.1，同時指示燈14亮.
16. Y軸增益：校正Y軸增益。
17. X軸增益：校正X軸增益。
18.顯示開關：分轉換、接地、校準三擋，其作用是：
⑴轉換：使圖像在Ⅰ、Ⅲ象限內相互轉換，便於由NPN管轉測PNP管時簡化測試操作。
⑵接地：放大器輸入接地，表示輸入為零的基準點。
⑶校準：按下校準鍵，光點在X、Y軸方向移動的距離剛好為10度，以達到10度校正目的。
19. X軸移位：調節光跡在水平方向的移位。
20. X軸選擇（電壓/度）開關：可以進行集電極電壓、基極電流、基極電壓和外接四種功能的轉換，共17擋。
21. 「級/簇」調節：在0～10的范圍內可連續調節階梯信號的級數。
22. 調零旋鈕 ：測試前，應首先調整階梯信號的起始級零電平的位置。當熒光屏上已觀察到基極階梯信號後，按下測試台上選擇按鍵「零電壓」，觀察光點停留在熒光屏上的位置，復位後調節零旋鈕，使階梯信號的起始級光點仍在該處，這樣階梯信號的零電位即被准確校正。
23. 階梯信號選擇開關：可以調節每級電流大小注入被測管的基極，作為測試各種特性曲線的基極信號源，共22擋。一般選用基極電流/級，當測試場效應管時選用基極源電壓/級。
24. 串聯電阻開關：當階梯信號選擇開關置於電壓/級的位置時，串聯電阻將串聯在被測管的輸入電路中。
25. 重復－－關按鍵：彈出為重復，階梯信號重復出現；按下為關，階梯信號處於待觸發狀態。
26. 階梯信號待觸發指示燈：重復按鍵按下時燈亮，階梯信號進入待觸發狀態。
27. 單簇按鍵開關：單簇的按動其作用是使預先調整好的電壓（電流）/級，出現一次階梯信號後回到等待觸發位置，因此可利用它瞬間作用的特性來觀察被測管的各種極限特性。
28. 極性按鍵：極性的選擇取決於被測管的特性。
29. 測試台：其結構如圖A-24所示。

圖A-24 XJ4810型半導體管特性圖示儀測試台

30. 測試選擇按鍵：
⑴「左」、「右」、「二簇」：可以在測試時任選左右兩個被測管的特性，當置於「二簇」時，即通過電子開關自動地交替顯示左右二簇特性曲線，此時「級/簇」應置適當位置，以利於觀察。二簇特性曲線比較時，請不要誤按單簇按鍵。
⑵「零電壓」鍵：按下此鍵用於調整階梯信號的起始級在零電平的位置，見（22）項。
⑶「零電流」鍵：按下此鍵時被測管的基極處於開路狀態，即能測量ICEO特性。
31、32. 左右測試插孔：插上專用插座（隨機附件），可測試F1、F2型管座的功率晶體管。
33、34、35.晶體管測試插座。
36. 二極體反向漏電流專用插孔（接地端）。
在儀器右側板上分布有圖A-25所示的旋鈕和端子：

圖A-25 XJ4810型半導體管特性圖示儀右側板

37. 二簇移位旋鈕：在二簇顯示時，可改變右簇曲線的位置，更方便於配對晶體管各種參數的比較。
38. Y軸信號輸入：Y軸選擇開關置外接時，Y軸信號由此插座輸入。
39. X軸信號輸入：X軸選擇開關置外接時，X軸信號由此插座輸入。
40. 校準信號輸出端：1V、0.5V校準信號由此二孔輸出。

7.2測試前注意事項

為保證儀器的合理使用，既不損壞被測晶體管，也不損壞儀器內部線路，在使用儀器前應注意下列事項：
1. 對被測管的主要直流參數應有一個大概的了解和估計，特別要了解被測管的集電極最大允許耗散功率PCM、最大允許電流ICM和擊穿電壓BVEBO、BVCBO 。
2. 選擇好掃描和階梯信號的極性，以適應不同管型和測試項目的需要。
3. 根據所測參數或被測管允許的集電極電壓，選擇合適的掃描電壓范圍。一般情況下，應先將峰值電壓調至零，更改掃描電壓范圍時，也應先將峰值電壓調至零。選擇一定的功耗電阻，測試反向特性時，功耗電阻要選大一些，同時將X、Y偏轉開關置於合適擋位。測試時掃描電壓應從零逐步調節到需要值。
4. 對被測管進行必要的估算，以選擇合適的階梯電流或階梯電壓，一般宜先小一點，再根據需要逐步加大。測試時不應超過被測管的集電極最大允許功耗。
5. 在進行ICM的測試時，一般採用單簇為宜，以免損壞被測管。
6. 在進行IC或ICM的測試中，應根據集電極電壓的實際情況選擇，不應超過本儀器規定的最大電流，見表A-3。

電壓范圍/V 0～10 0～50 0～100 0～500
允許最大電流/A 5 1 0.5 0.1
表A-3 最大電流對照表

7. 進行高壓測試時，應特別注意安全，電壓應從零逐步調節到需要值。觀察完畢，應及時將峰值電壓調到零。

7.3基本操作步驟

1. 按下電源開關，指示燈亮，預熱15分鍾後，即可進行測試。
2. 調節輝度、聚焦及輔助聚焦，使光點清晰。
3. 將峰值電壓旋鈕調至零，峰值電壓范圍、極性、功耗電阻等開關置於測試所需位置。
4. 對X、Y軸放大器進行10度校準。
5. 調節階梯調零。
6. 選擇需要的基極階梯信號，將極性、串聯電阻置於合適擋位，調節級/簇旋鈕，使階梯信號為10級/簇，階梯信號置重復位置。
7. 插上被測晶體管，緩慢地增大峰值電壓，熒光屏上即有曲線顯示。

7.4測試實例

1. 晶體管hFE和β值的測量
以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊得知3DK2 hFE的測試條件為VCE =1V、IC=10mA。將光點移至熒光屏的左下角作座表零點。儀器部件的置位詳見表A-4。
表A-4 3DK2晶體管hFE、β測試時儀器部件的置位
部件 置位 部件 置位
峰值電壓范圍 0～10V Y軸集電極電流 1 mA /度
集電極極性 + 階梯信號 重復
功耗電阻 250Ω 階梯極性 +
X軸集電極電壓 1V/度 階梯選擇 20μA

逐漸加大峰值電壓就能在顯示屏上看到一簇特性曲線，如圖A-26所示.讀出X軸集電極電壓Vce =1V時最上面一條曲線（每條曲線為20μA，最下面一條IB=0不計在內）IB值和Y軸IC值，可得
hFE = = = =42.5
若把X軸選擇開關放在基極電流或基極源電壓位置，即可得到圖A-27所示的電流放大特性曲線。即
β=

圖A-26 晶體三極體輸出特性曲線 圖A-27 電流放大特性曲線

PNP型三極體hFE和β的測量方法同上，只需改變掃描電壓極性、階梯信號極性、並把光點移至熒光屏右上角即可。
2.晶體管反向電流的測試
以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊得知3DK2 ICBO、ICEO的測試條件為VCB、VCE均為10V。測試時，儀器部件的置位詳見表A-5。
逐漸調高「峰值電壓」使X軸VCB=10V，讀出Y軸的偏移量，即為被測值。被測管的接線方法如圖1-28，其中圖A-28（a）測ICBO值，圖A-28（b）測ICEO值、圖A-28（c）測IEBO值。

圖A-28 晶體管反向電流的測試
表A-5 3DK2晶體管反向電流測試時儀器部件的置位
項目
部件 位置
ICBO
ICEO
峰值電壓范圍 0～10V 0～10V
極性 ＋ ＋
X軸集電極電壓 2V/度 2V/度
Y軸集電極電流 10μA/度 10μA/度
倍率 Y軸位移拉出×0.1 Y軸位移拉出×0.1
功耗限制電阻 5KΩ 5KΩ

測試曲線如圖A-29所示。
讀數：ICBO=0.5μA（VCB=10V） ICEO=1μA（VCE=10V）

圖A-29 反向電流測試曲線

PNP型晶體管的測試方法與NPN型晶體管的測試方法相同。可按測試條件，適當改變擋位，並把集電極掃描電壓極性改為「—」，把光點調到熒光屏的右下角（階梯極性為「+」時）或右上角（階梯極性為「—」時）即可。
3.晶體管擊穿電壓的測試
以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的測試條件IC分別為100μA、200μA和100μA。測試時，儀器部件的置位詳見表A-6。
逐步調高「峰值電壓」，被測管按圖A-30（a）的接法，Y軸IC=0.1mA時，X軸的偏移量為BVCEO值；被測管按圖A-30（b）的接法，Y軸IC=0.2m A時，X軸的偏移量為BVCEO值；被測管按圖A-30（c）的接法，Y軸IC=0.1mA時，X軸的偏移量為BVEBO值。

表A-6 3DK2晶體管擊穿電壓測試時儀器部件的置位
置位 項目
部件
BVCBO

BVCEO
BVEBO
峰值電壓范圍 0～100V 0～100V 0～10V
極性 + + +
X軸集電極電壓 10V/度 10V/度 1V/度
Y軸集電極電流 20μA/度 20μA/度 20μA/度
功耗限止電阻 1 kΩ～5 kΩ 1 kΩ～5 kΩ 1 kΩ～5 kΩ

測試曲線如圖A-30所示。

圖A-30 反向擊穿電壓曲線（NPN）

圖A-31 反向擊穿電壓曲線（PNP）

讀數：BVCBO=70V（IC=100μA）
BVCEO=60V（IC=200μA）
BVEBO=7.8V（IC=100μA）
PNP型晶體管的測試方法與NPN型晶體管的測試方法相似。其測試曲線如圖1-31所示。
4.穩壓二極體的測試
以2CW19穩壓二極體為例，查手冊得知2CW19穩定電壓的測試條件IR=3mA。測試時。儀器部件置位詳見表A-7。
逐漸加大「峰值電壓」，即可在熒光屏上看到被測管的特性曲線，如圖A-32所示。

表A-7 2CW19穩壓二極體測試時儀器部件的置位
部件 置位 部件
置位
峰值電壓范圍 AC 0～10V X軸集電極電壓 5V/度
功耗限止電阻 5 kΩ Y軸集電極電流 1mA/度

讀數：正向壓降約0.7V，穩定電壓約12.5V。
5.整流二極體反向漏電電流的測試
以2DP5C整流二極體為例，查手冊得知2DP5的反向電流應≤500nA。測試時，儀器各部件的置位詳見表A-8。
逐漸增大「峰值電壓」，在熒光屏上即可顯示被測管反向漏電電流特性，如圖A-33所示。
讀數：IR=4div×0.2μA×0.1(倍率)=80 nA
測量結果表明，被測管性能符合要求。

圖A-32 穩壓二極體特性曲線 圖A-33 二極體反向電流測試

表A-8 2DP5C整流二極體測試時儀器部件的置位
部件 置位 部件
置位
峰值電壓范圍 0～10V Y軸集電極電流 0.2μA/度
功耗限制電阻 1 kΩ 倍率 Y軸位移拉出×0.1
X軸集電極電壓 1V/度

6.二簇特性曲線比較測試
以NPN型3DG6晶體管為例，查手冊得知3DG6晶體管輸出特性的測試條件為IC=10 mA、VCE=10V。測試時，儀器部件的置位詳見表A-9。
將被測的兩只晶體管，分別插入測試台左、右插座內，然後按表1-8置位各功能鍵，參數調至理想位置。按下測試選擇按鈕的「二簇」琴鍵，逐步增大峰值電壓，即可要熒光屏上顯示二簇特性曲線，如圖A-34所示。

表A-9 二簇特性曲線測試時儀器部件的置位
部件 置位 部件 置位
峰值電壓范圍 0～10V Y軸集電極電流 1 mA/度
極性 + 「重復－－關」開關 重復
功耗限制電阻 250Ω 階梯信號選擇開關 10μA/級
X軸集電極電壓 1V/度 階梯極性 +

當測試配對管要求很高時，可調節「二簇位移旋鈕」（37），使右簇曲線左移，視其曲線重合程度，可判定其輸出特性的一致程度。

圖A-34 二簇輸出特性曲線